Theo Young-Hyun Jun, phó chủ tịch bộ phận kinh doanh bộ nhớ của Samsung Electronics, cho biết: "Bằng cách cung cấp chíp nhớ di động hiệu quả nhất với dung lượng lớn, chúng tôi đang mang đến cho các đối tác OEM trong việc giới thiệu các sản phẩm hiệu quả nhất trên thị trường".
Các thiết bị di động cao cấp sắp sẽ được trang bị RAM đến 4GB.
Chíp nhớ DRAM dành cho thiết bị di động của Samsung cung cấp hiệu năng xử lý công việc lên đến 2,1 Gbps, cho phép nó có thể truyền tải 3 video Full-HD có kích thước 17 GB chỉ trong vòng 1 giây.
Tốc độ truyền tải của chíp nhớ LPDDR3 DRAM này được phát triển dựa trên quy trình sản xuất 20 nm. Hiệu năng làm việc này của chíp nhớ DRAM cao hơn gấp đôi so với chíp nhớ DRAM tiêu chuẩn trước đây là LPDDR2, vốn chỉ cung cấp tốc độ truyền tải tối đa lên đến 800 Mbps mà thôi.
Samsung cho biết, chíp nhớ DRAM LPDDR3 di động mới cho phép hiển thị các nội dung video Full HD một cách mượt mà trên smartphone có màn hình 5-inch hoặc lớn hơn. So với một chíp DRAM LPDDR3 30nm, chíp DRAM mới cung cấp khả năng cải thiện 30% về hiệu suất xử lý công biệc và tiết kiện 20% lượng điện năng tiêu thụ.
Quy trình công nghệ 20nm cũng cung cấp cho các thiết bị di động bộ nhớ trong 2 GB bằng cách kết hợp 4 chíp có bộ nhớ 512 MB lại với nhau, mỏng 0,8mm.