Đây là kết quả của sự hợp tác giữa Toshiba và SanDisk trong việc phát triển một thế hệ chip nhớ mới. Yan Li, giám đốc thiết kế bộ nhớ của SanDisk cho biết chip nhớ có thể lưu trữ lên đến 128 tỷ bit thông tin trên một khuôn silicon chỉ 170 mm², bằng sự kết hợp giữa các chip nhớ di động NAND đa cấp (MLC) của SanDisk với công nghệ X3, với khả năng đọc/ghi trên mỗi tế bào bộ nhớ là ba bit.
Đây là thế hệ thế hệ chip nhớ di động NAND đa cấp (MLC) thứ 9 của Sandisk và cũng là sản phẩm thệ hệ thứ năm ứng dụng công nghệ X3 trên quy trình 19 nm. Sự kết hợp này đã giúp SanDisk có thể lưu thông tin vào từng tế bào bộ nhớ, tạo ra một các chip nhớ flash có kích thước nhỏ hơn với mật độ chip nhớ NAND được gắn dày đặt hơn.
Trong khi đó, công nghệ 3X cung cấp cho các chip nhớ mới có một hiệu suất ghi cao nhất lên đến 18 MB/s cùng kết hợp với kiến trúc All-Bit-Lane (ABL) của công ty, cho phép việc truy cập đồng thời và an toàn hơn.
Việc xây dựng một chip nhớ NAND với mực độ phức tạp này là một thành tựu đáng kinh ngạc và đi đầu của SanDisk, giúp các sản phẩm lưu trữ tương lai nhỏ hơn, mạnh hơn và tiêu thụ điện năng thấp hơn nhiều với một chi phí thấp hơn.
Một chip nhớ NAND 19 nm 64 GB (8 GB) sẽ tương thích với các định dạng của khe nhớ MicroSD. SanDisk đã bắt đầu khởi động trên cả hai mô hình 64 GB và 128 GB với khả năng sản xuất hàng loạt trong thời gian ngắn.
